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LBO晶體在DUV光刻機(jī)中的作用

時間:2025-09-17 來源:新特光電 訪問量:1115

LBO晶體(三硼酸鋰,LiB3O5)在DUV(深紫外)光刻機(jī)中扮演著核心波長轉(zhuǎn)換器的角色,其核心作用是通過非線性光學(xué)效應(yīng)將長波長激光高效轉(zhuǎn)換為光刻所需的深紫外光(如193nm)以下是具體作用解析。

實(shí)際應(yīng)用場景(以中科院技術(shù)為例)

核心功能:深紫外激光生成

1.輸入光源:

通常為紅外激光(如1030nm、1064nm)

2.轉(zhuǎn)換過程:  

第一步:紅外光通過LBO晶體進(jìn)行倍頻(如1064nm → 532nm綠光) 

第二步:532nm綠光與剩余紅外光在LBO中進(jìn)行和頻混頻(如532nm + 1064nm → 355nm紫外光)

第三步(關(guān)鍵):多級LBO晶體串聯(lián),將紫外光進(jìn)一步轉(zhuǎn)換為193nm深紫外光(如258nm + 1553nm → 193nm)

技術(shù)優(yōu)勢

1.LBO的寬透光范圍(160–2600nm)和高損傷閾值,使其能承受高功率激光并穩(wěn)定輸出深紫外光。

2.替代傳統(tǒng)光源

傳統(tǒng)方案:DUV光刻依賴ArF準(zhǔn)分子激光器(氣體放電產(chǎn)生193nm光),需復(fù)雜的氣體供應(yīng)系統(tǒng) 

LBO方案:全固態(tài)激光路徑(如中科院技術(shù)),通過LBO晶體直接生成193nm激光,簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu),降低維護(hù)成本

關(guān)鍵性能優(yōu)勢

特性LBO 晶體的優(yōu)勢對DUV光刻的價值
透光范圍160-2600nm(覆蓋深紫外波段)支持 193nm/157nm等關(guān)鍵波長生成
損傷閾值>1 GW/cm(高于BBO 晶體)承受高功率激光,保障長期穩(wěn)定性
非線性系數(shù)中高等級(d:≈0.67 pm/V)提升波長轉(zhuǎn)換效率
走離角<10 mrad(光束畸變小)維持激光指向精度,減少光學(xué)損耗

對比其他晶體:  

BBO晶體:雖非線性系數(shù)更高,但損傷閾值低(易燒蝕),不適用于高功率DUV系統(tǒng)。  

KDP晶體:透光范圍受限(>200nm),無法生成193nm光。

實(shí)際應(yīng)用場景(以中科院技術(shù)為例)

全固態(tài)193nm激光器:  

輸入1030nm紅外激光(Yb:YAG放大器產(chǎn)生)  

轉(zhuǎn)換路徑:

    LBO

輸出性能:

平均功率70mW,線寬<0.11pm(滿足3nm制程需求)

混合光源輔助系統(tǒng)

作為準(zhǔn)分子激光器的種子光源,提升輸出激光的相干性和穩(wěn)定性

技術(shù)局限與突破方向

當(dāng)前瓶頸

  • 功率不足(70mW VS 商用準(zhǔn)分子激光100W)

  • 重復(fù)頻率較低(6kHz VS 9kHz)

優(yōu)化路徑

  • 多級LBO串聯(lián)結(jié)構(gòu)增強(qiáng)轉(zhuǎn)換效率

  • 開發(fā)新型鍍膜技術(shù)減少界面損耗

  • 耦合光纖放大器提升輸入激光功率

LBO的核心價值

國產(chǎn)替代關(guān)鍵

突破準(zhǔn)分子激光器的氣體技術(shù)壟斷,降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)  

技術(shù)獨(dú)特性

唯一能高效生成193nm深紫外光的全固態(tài)方案核心材料 

未來潛力

若突破功率瓶頸,可推動DUV光刻機(jī)向更緊湊、低能耗方向演進(jìn)  

本質(zhì)作用

LBO是DUV光刻機(jī)的“光學(xué)齒輪”,將易得的紅外激光“精密加工”為光刻所需的深紫外光,為高分辨率芯片制造提供底層光源支撐


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